基于SOI的硅光波导电子束光刻工艺参数对结构的影响（英文）

作者：郑煜; 郜飘飘^*; 唐昕; 刘建哲; 段吉安

来源：Journal of Central South University (English Edition), 2022, 29(10): 3335-3345.

• 硅光波导
• 电子束光刻
• 曝光剂量
• 粗糙度

电子束光刻是纳米级硅光波导制作过程的关键工艺，本文以顶层硅220 nm的SOI晶圆为衬底研究了电子束光刻的主要工艺参数—曝光剂量对显影后的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)正性抗蚀剂结构轮廓的影响，根据测量结果分析曝光剂量与显影后结构图形宽度的关系，找到最佳曝光剂量220μC/cm2以便通过后续工艺得出与掩膜尺寸一致的最终结构。同时，依据图像分割曲线跟踪技术对剂量测试结果图进行轮廓提取处理，分析掩膜设计值和曝光剂量与边界轮廓二维粗糙度之间的关系，为后续相同衬底材料的电子束光刻提供参考意义。

• 单位
  高性能复杂制造国家重点实验室; 中南大学