摘要

为了解决GeSn光电探测器反应能力不足和信号噪声比差等方面的不足,提出一种偏振敏感的双机制增强的GeSn光电探测器。该光电探测器同时具有法布里-珀罗模式和表面等离激元模式,其中,GeSn薄膜和二氧化硅薄膜提供了法布里-珀罗模式,而表面等离激元来源于附加在GeSn表面的Au光栅。模拟结果表明,该双机制增强的GeSn光电探测器将2 000 nm波长处的光学吸收率由20%提高到80%。此外,在2 000 nm时,TM光及TE光吸收率分别为80%和2.6%,消光比为31。高消光比表明该结构具有良好的偏振选择性。这些结果为新型GeSn光电探测器的开发提供了思路。