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摘要
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性，且易于商业化生产，是在高性能核辐射探测器领域中应用的研究热点。本文介绍了Ga2O3半导体材料的物理特性、制备方法和器件类型；简述了Ga2O3半导体器件在核辐射探测领域中的国内外研究现状；总结了肖特基结型和高阻型2种辐射探测器的特性及应用方向；分析了影响Ga2O3半导体核辐射探测器性能的关键因素，指出Ga2O3半导体核辐射探测器目前研究面临的主要问题；提出了Ga2O3半导体核辐射探测器研究与发展方向的建议。
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