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摘要
本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法,包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型,并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源,得到InP HEMT噪声等效电路；对InP HEMT噪声等效电路的噪声参数进行表征；获取InP HEMT器件的级联噪声相关矩阵,并对其进行寄生参数去嵌,得到本征导纳噪声矩阵；根据小信号等效电路模型参数和本征导纳噪声矩阵,得到噪声参数；将噪声参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路,得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法在噪声相关系数中引入虚数分量,表征沟道分布效应的噪声,同时引入衬底损耗效应噪声因子,表征衬底损耗效应的噪声,提高了模型在高频下的拟合精度。
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