本发明涉及一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极,栅电极在N型沟道左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区、右沟道凹陷区、中间沟道凹陷区,所述沟道表面和栅电极之间形成左高栅区域和右高栅区域。本发明的优点体现在：漏极电流提高；击穿电压提高；频率特性改善。
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