快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

作者：马强; 杨德仁; 马向阳; 崔灿

来源：材料科学与工程学报, 2006, (05): 691-693+699.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2006.05.015

• 直拉硅单晶
• 氧沉淀
• 快速热处理工艺
• CMOS工艺 Czochralski silicon
• oxygen precipitates
• RTP
• processing of CMOS

本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀。经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD)。

• 单位
  硅材料国家重点实验室