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摘要
提出一种基于电场驱动的GaAs基微带超晶格高阶谐波产生的太赫兹倍频器，利用平衡方程方法分析了倍频器在磁场下峰值功率输出和在参数空间(Edc,Eac)的分布情况。研究表明，在(Edc,Eac)的参数平面内，磁场对二次和三次谐波功率的峰值影响不大，但磁场会拓宽谐波输出功率的峰值区域，提高在(Edc,Eac)参数空间内输出峰值功率的概率。当Eac确定时，谐波发射功率峰值的位置会受到直流电场产生的布洛赫振荡频率fB、交流电场产生的调制布洛赫振荡频率fMB和磁场引起的回旋振荡频率fc的影响而发生变化。研究表明，基于半导体超晶格的太赫兹倍频器是很有应用潜力的太赫兹波发生器件。
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单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 电子工程学院; 中国科学院大学
