852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长

作者：徐华伟; 宁永强; 曾玉刚; 张星; 秦莉

来源：光学精密工程, 2013, (03): 590-597.

• 半导体激光器
• 应变量子阱
• 外延生长
• 波长漂移
• 反射各向异性谱 semiconductor laser
• strain quantum-well
• epitaxial growth
• wavelength shift
• Reflectance Anisotropy Spectroscopy(RAS)

设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移,结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性。使用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)外延生长了In0.15Al0.11Ga0.74As/Al0.3Ga0.7As有源区,通过反射各向异性谱(RAS)在线监测和PL谱研究了InAl...

• 单位
  中国科学院大学; 发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所