静态随机存储器低泄漏设计技术

作者：郭雅琳; 程滔

来源：电子器件, 2012, 35(06): 764-766.

• 静态随机存储器
• 泄漏
• 功耗
• 待机
• 灵敏放大器 static random access memory
• leakage
• power
• standby
• sense amplifier

随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因:(1)芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;(2)每次访存操作时SRAM仅小部分阵列工作,大部分存储阵列处于非工作状态。总结SRAM低泄漏的电路设计技术,并总结工艺发展对于低泄漏设计技术的挑战。

• 单位
  国家基础地理信息中心; 工业和信息化部软件与集成电路促进中心