Te溶剂-Bridgman法Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长习性研究

作者：郑昕; 杜园园; 王涛; 介万奇; 齐阳; 栾丽君

来源：人工晶体学报, 2012, 41(02): 306-311.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2012.02.010

• Cd0.9Mn0.1Te晶体
• Te溶剂-Bridgman法
• 红外透过率
• 电阻率
• 位错 Cd0.9Mn0.1Te crystal
• Te solvent-Bridgman method
• infrared transmittance
• resistivity
• dislocation

采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌。测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60%,电阻率达到2.828×1011Ω.cm。位错密度在106cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭。生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面。但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则...

• 单位
  材料学院; 凝固技术国家重点实验室; 材料科学与工程学院; 长安大学; 西北工业大学