含磁场耦合忆阻神经网络放电行为研究

作者：李雅岱; 韦笃取^*

来源：广西师范大学学报(自然科学版), 2020, 38(03): 19-24.

DOI：10.16088/j.issn.1001-6600.2020.03.003

• Hodgkin-Huxley神经网络
• 忆阻器
• 放电行为
• Newman-Watts小世界

本文研究复杂神经网络的连接拓扑和耦合强度对其放电行为的影响,以含磁场耦合忆阻Hodgkin-Huxley(HH)神经元为节点,以神经元之间的连接为边,建立Newman-Watts(NW)型小世界神经网络,并通过改变连接拓扑概率和耦合强度研究神经网络放电模式。研究发现:对于一个给定的耦合强度,当连接拓扑概率接近于零时,神经网络没有放电行为;当连接拓扑概率大于阈值时,网络中的神经元会出现放电现象,而且随着连接拓扑概率p的进一步增大,放电强度变得更大。研究结果表明,连接拓扑概率p可以诱导和增强神经网络的电活动,可望为理解真实耦合神经元的集群动力学提供有益的见解。

• 单位
  广西师范大学; 电子工程学院