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摘要
<正>中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力,发现了自主SiSbTe体系相变材料,验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。因为其与GeSbTe不同的可逆相变机理,发现了Si与SbTe的纳米尺度复合,SbTe相变材料在非晶Si的纳米结构下进行可逆相变,有效地减少了可逆相变的体积,同
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<正>中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力,发现了自主SiSbTe体系相变材料,验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。因为其与GeSbTe不同的可逆相变机理,发现了Si与SbTe的纳米尺度复合,SbTe相变材料在非晶Si的纳米结构下进行可逆相变,有效地减少了可逆相变的体积,同
