二氧化钛纳米阵列的制备与光电催化性能研究

作者：陈和祥^*; 张君; 朱宪忠; 王卉

来源：现代化工, 2021, 41(11): 143-147.

DOI：10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2021.11.030

• 二氧化钛
• CuPc
• 电沉积时间
• 微观结构
• 光电催化性能

采用高压釜水热法和电沉积法制备了FTO@Ti O2(TNRAs)和FTO@Ti O2@CuPc (CTNRAs)纳米阵列,优化了CTNRAs的CuPc电沉积时间,并对比分析了CTNRAs和TNRAs形貌、物相组成和光电催化性能。结果表明,随着电沉积时间的延长,CTNRAs表面CuPc负载量逐渐增大,而光电流密度先增加后减小,CTNRAs的最优CuPc电沉积时间为60 s,此时具有最大的光电流密度和光电流密度增长率。在TNRAs基板上电沉积CuPc不会改变纳米阵列的原始结构,CTNRAs中CuPc成功沉积在TNRAs表面并实现了良好接触。1.23VRHE时CTNRAs的光电转换效率高于TNRAs,380 nm处TNRAs的光电转换效率约为CTNRAs的46.7%,且连续照射8 h后CTNRAs仍具有较好的光电化学稳定性,这主要是因为CTNRAs具有垂直于基板生长的纳米阵列以及电沉积CuPc层,有助于提升二氧化钛基纳米阵列的光电转换效率。

• 单位
  南京理工大学; 南京信息职业技术学院