氢终端单晶金刚石反相器特性

作者：邢雨菲; 任泽阳^*; 张金风; 苏凯; 丁森川; 何琦; 张进成; 张春福; 郝跃

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 71(08): 325-330.

• 金刚石
• 场效应管
• 反相器

超宽禁带半导体金刚石材料在高温、高压电路中具有重要的应用潜力.本研究采用微波等离子体化学气相沉积生长的单晶金刚石衬底制备了原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)的Al_2O_3栅介质的氢终端金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)器件,并与负载电阻互连,成功制备了金刚石反相器. 4μm栅长的氢终端金刚石器件实现了最大113.4 m A/mm的输出饱和漏电流,器件开关比高达109,并在不同负载电阻条件下均成功测得金刚石反相器的电压反转特性,反相器的最大增益为10.

• 单位
  西安电子科技大学; 西安电子科技大学芜湖研究院