L波段高功率单刀双掷开关设计与实现

作者：赵桂铖; 要志宏

来源：微波学报, 2022, 38(01): 81-89.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.202201017

• PIN二极管
• 单刀双掷开关
• 高功率

选用PIN二极管设计了一款工作在L波段的高功率单刀双掷(SPDT)开关，能耐受100 W连续波功率信号。开关采用串并联结构，增大开关的隔离度的同时拓宽了带宽。通过厚膜工艺、丝网印刷制作微带线、微组装工艺完成各个器件焊接互联，完成开关的制作。开关采用-5 V/+30 V的偏置电压进行控制。实测表明：该单刀双掷开关在1～2 GHz内，插入损耗小于0.7 dB,频带内输入驻波比和输出驻波比均小于1.4,隔离度大于25 dB,在连续波100 W功率下，二极管最高温度为122.6℃,满足设计需求。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所