自缓冲层对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜结构和性能的影响

作者：张宇; 左长明; 王小平; 宋晓科; 姬洪

来源：材料导报, 2008, S2: 336-338.

• BIT
• 自缓冲层
• 择优取向
• 应力
• 摇摆曲线 BIT
• self-buffer layers
• preferred orientations
• stresses
• rocking curves

铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系。采用X射线衍射(XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理。3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:α轴择优的BIT薄膜性能最好。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学