阐述动态电阻退化是GaN晶体管面临的主要问题之一，混合漏极型GaN晶体管的动态导通电阻特性与没有p-GaN漏极的GaN晶体管不同，需要得到进一步的研究。探讨使用多脉冲测试来表征HD-GIT在不同温度、电压应力和开关模式的条件下的动态导通电阻，对内在机制进行分析。
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