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摘要
伴随5G高频移动通信、物联网时代到来，微机电系统（micro-electro-mechanical system, MEMS）器件在国防安全、工业智能和智能生活等领域拥有巨大应用市场，基于压电效应的射频滤波器、传感器、换能器等是重点发展的关键半导体器件。为满足器件的高频、大带宽、小型化、集成化需求，具有高机电耦合系数并且与当前集成电路工艺高度兼容的AlScN薄膜是新一代压电MEMS器件的核心。AlSc二元合金靶材作为磁控溅射工艺制备AlScN薄膜的关键材料，其品质的好坏直接决定薄膜性能的优良。本文以AlScN压电薄膜在高频滤波器中的应用为背景，介绍了Sc掺杂AlN薄膜的研究进展，阐述了AlSc二元合金溅射靶材在磁控溅射制备AlScN薄膜中的优势，论述了AlSc二元合金靶材的制备方法和关键性能表征，分析了国内外在此领域的研究成果及未来的研究方向。深入开展AlSc二元合金溅射靶材的制备及应用研究，有助于推进新一代信息技术用高纯稀土靶材的研发进程，具有显著的现实意义。
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