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摘要
二维材料由于其在力学，电学以及光学等领域的潜在应用而受到广泛关注. 基于第一性原理计算，通过有序地排列SiH_(3)SGeH_(3)的Si-S-Ge骨架，设计了一种全新的二维材料SiGeS. 单层SiGeS具有良好的能量、动力学以及热力学稳定性. SiGeS具有非常罕见的负泊松比. 此外，单层SiGeS是间接带隙半导体，其带隙值为1.95 eV. 在应变的作用下，SiGeS可转变为带隙范围为1.32-1.58 eV的直接带隙半导体，可被应用在光学或半导体领域. 同时，本征SiGeS拥有优异光吸收能力，其最高光吸收系数可达 ～10~(5) cm~(-1)，吸收范围主要在可见光到紫外波段. 在应变下，光吸收范围可覆盖到整个红外波段. 这些有趣的性质使得SiGeS成为一个多功能材料，有望被用于纳米电子、纳米力学以及纳米光学等众多领域.
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