本发明公开了一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用,其制备方法是采用真空热蒸镀的方式在电极表面依次蒸镀酞菁铜有机半导体、小分子铁电体和酞菁铜有机半导体薄膜,形成金属/有机半导体/小分子铁电体层/有机半导体/金属的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体,所述小分子铁电层为高氯酸胍和四乙基高氯酸胺小分子铁电体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能,具有低功耗,低串扰等优点。其制备方法操作步骤简单,成本低,易于实施,并且安全、环保。