温度补偿高谐波抑制功率放大器的设计

作者：曾凡杰; 周正轩; 蓝焕青; 章国豪^*

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(02): 110-115.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.02.006

• 高线性
• 谐波抑制
• 功率放大器
• 温度补偿

针对无线通信应用系统,采用了一种具有温度补偿特性的偏置电路和一种带有谐波抑制功能的输出匹配网络,设计了一款高线性高谐波抑制的功率放大器。该功率放大器采用InGaP/GaAs HBT工艺,工作频率为1.84 GHz,供电电压为4.5 V,偏置电压为2.85 V。测试结果表明,常温下,功率放大器的增益为32 dB,饱和输出功率可达33 dBm,二次、三次谐波分量都小于-55 dBc,在输出功率为24.5 dBm时,邻道抑制比为-47 dBc,在-40～85℃温度变化范围内,功率放大器增益与邻道抑制比基本不变。

• 单位
  广东工业大学