实验测量量子点接触结构的动态量子输运.观察到导纳的实部和虚部都出现明显的台阶,为负值的虚部反应了器件的电感性响应的特性.但是零磁场条件下的导纳坪台有波动,这是背散射导致的结果.外加磁场可以有效地抑制背散射,改善坪台的平整程度,实验观察到当磁场为0.3 T左右时就可以得到比较理想的坪台.当磁场进一步增大时,可以观察到磁耗散效应,并且由此可以估算器件的零磁场子能带的间距.
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