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摘要
N型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件,在P型外延层上制作半超级结,并且在半超级结区和部分外延片上引入N型埋层。与传统的SJ-LDMOS相比,本发明通过N型埋层的作用,补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡,克服了衬底辅助效应,提高了击穿电压；并且由于是半超级结,在表面引入一个电场峰,进一步提高击穿电压。同时,N型埋层额外增加一条新的导电路径,降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压,低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单,工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。
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