ZnO缓冲层对Mg0.3Zn0.7O紫外探测器的影响

作者:黄志娟; 喻志农; 杨伟声; 李言; 苏秉华; 薛唯
来源:半导体光电, 2018, 39(03): 322-325.
DOI:10.16818/j.issn1001-5868.2018.03.004

摘要

利用溶胶-凝胶法制备了Mg0.3Zn0.7O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器。研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg0.3Zn0.7O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg0.3Zn0.7O紫外探测器响应参数的影响。实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg0.3Zn0.7O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg0.3Zn0.7O探测器的I-V特性表明,ZnO缓冲层的引入可以显著提高器件的光电流,改善其响应特性,在20V偏压下将Mg0.3Zn0.7O探测器的响应度由0.035A/W提高至0.63A/W。

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