摘要
将非晶SmCo薄膜沉积在弯曲的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上,薄膜厚度范围为10~150 nm.薄膜沉积结束后,当PET衬底从凹/凸变平时,非晶SmCo薄膜受到拉伸/压缩应变.结果表明,应变既可以调控SmCo/PET的剩余磁化强度,也可以调控其磁滞回线的方形度.与压缩应变相比,拉伸应变对非晶SmCo磁性的调控幅度更大.非晶SmCo薄膜的磁性之所以能够被柔性衬底提供的机械应变所调控是因为非晶SmCo薄膜具有负磁致伸缩特性.当负磁致伸缩效应发生时,拉伸应变会阻碍非晶SmCo薄膜的磁化过程,而压缩应变则会促进非晶SmCo薄膜的磁化过程.非晶SmCo/PET在开发柔性自旋电子器件和柔性微纳电子器件方面具有巨大潜力.
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