基于HfNx∶Zn薄膜的负微分阻变存储器

作者：王中强; 张雪; 齐猛; 凡井波; 严梓洋; 李壮壮

来源：物理实验, 2019, 39(06): 16-22.

DOI：10.19655/j.cnki.1005-4642.2019.06.003

• 阻变存储器
• 氮化铪薄膜
• 氮空位缺陷
• 负微分电阻

基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(<150ns)、优异的循环耐受性(>103)、长时间保持性(85℃时>105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5%/8.5%)和较低的高阻/低阻波动性(13.5%/10.1%).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.

• 单位
  东北师范大学; 物理学院