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摘要
太空中的单粒子效应会对电子器件造成损伤，地面模拟是评估器件抗辐射性能的有效途径。现有的模拟方法大多是基于器件的物理底层模型进行电流源脉冲故障注入，不适用于百万门级大规模集成电路(very large scale integration, VLSI)。针对该问题，提出了一种从器件高层行为模型注入单粒子翻转故障的方法，并基于8051 IP核进行了单粒子一位翻转和连续两位翻转的仿真和实验比较。研究结果表明，单粒子翻转故障可直接注入到器件的高层来评估系统的抗单粒子性能。
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单位中国工程物理研究院电子工程研究所; 西安电子科技大学
