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摘要
使用自制的陶瓷结合剂金刚石砂轮磨削6H-SiC晶片，研究了6H-SiC晶片材料去除方式和砂轮的磨损机理。研究结果表明：6H-SiC晶片材料去除方式主要是脆性断裂，磨削后晶片的表面粗糙度为Ra0.108μm,且砂轮部分气孔被磨屑填充，金刚石磨粒有轻微的破碎与磨损现象。
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使用自制的陶瓷结合剂金刚石砂轮磨削6H-SiC晶片，研究了6H-SiC晶片材料去除方式和砂轮的磨损机理。研究结果表明：6H-SiC晶片材料去除方式主要是脆性断裂，磨削后晶片的表面粗糙度为Ra0.108μm,且砂轮部分气孔被磨屑填充，金刚石磨粒有轻微的破碎与磨损现象。
