摘要
在Ts=1 400℃的条件下,制备了高致密度(ρr=94.9%)的(Ba1–xHox)(Ti1–x/2Cax/2)O3陶瓷,即BHTC陶瓷。在BHTC陶瓷中中,Ho3+主要占据A位,Ca2+主要占据B位,同时存在少量的Ho3+和Ca2+离子分别占据B位和A位。当x=0.06和0.08时,该陶瓷满足Y5V型介电指标;当x=0.10时,该陶瓷满足更高的Y9V型介电指标。在BHTC1、BHTC2、BHTC3中,介电温度稳定的根本原因是相变点处的介电峰向低温移动;但当0.01≤x≤0.10时,由于HoBa-HoTi、HoBa-CaTi-HoBa缺陷复合体的存在,TC随x值的增加往高温方向移动。
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单位吉林工业职业技术学院