基于Si衬底的应变Ge_1#xSn_x薄膜材料及其制备方法

作者：刘洋; 宋建军; 蔡丽莹; 胡辉勇; 宣荣喜; 舒斌; 张鹤鸣

来源：2016-08-25, 中国, CN201610728645.6.

本发明涉及一种基于Si衬底的应变Ge1#xSnx薄膜材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；在第一温度下,Ge衬底表面生长第一Ge籽晶层；在第二温度下,在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；加热整个衬底,并利用激光工艺对整个衬底进行晶化,激光工艺的参数包括：激光波长为808nm,激光光斑尺寸10mm×1mm,激光功率为1.5kW/cm2,激光移动速度为25mm/s；冷却形成Ge/Si虚衬底材料并生长应变Ge1#xSnx材料。本发明采用激光再晶化(Laser#Re#Crystallization,简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度,进而可提高后续生长的应变Ge1#xSnx合金薄膜质量。同时,激光再晶化工艺时间短、热预算低,可提升Si衬底上应变Ge1#xSnx薄膜整个制程的工艺效率。

• 单位
  西安电子科技大学