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摘要
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺，根据有源器件的Gmax和输出功率密度，选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗；采用三级放大器，其栅宽比为1:4:16，实现高功率增益和高效率；利用等Q匹配技术，把偏置电路融入匹配电路中，实现简单、低损耗和宽带阻抗变换；借助电磁场寄生参数提取技术实现紧凑型芯片版图，尺寸为2.8 mm×2.0 mm。测试结果表明，偏置条件漏极电压UD=28 V、UG=-2.2 V，在2～6 GHz频率范围内，功率放大器增益大于24 dB，饱和输出功率大于43 dBm，功率附加效率大于45%，可广泛应用于电子对抗和电子围栏等领域。
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