温度对ZnO半导体纳米线制备的影响

作者：孙伟; 郝楠

来源：现代商贸工业, 2010, (13): 341-342.

DOI：10.19311/j.cnki.1672-3198.2010.13.222

• 半导体
• 纳米线
• 扫描电子显微镜(SEM)
• PL

在镀金Si衬底上制备一维ZnO半导体纳米线,其制备方法采用了传统的物理气相沉积技术。制备出的纳米线的晶态结构以及形貌利用SEM、PL等技术进行分析。结果表明,温度对ZnO半导体纳米线的形貌有一定影响。

• 单位
  河北软件职业技术学院