热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

作者：李瑞; 张析; 张丹青; 向钢

来源：材料导报, 2013, (11): 27-32.

• 热蒸发法
• 第Ⅳ族半导体
• Si纳米线
• Ge纳米线
• SiGe纳米线 thermal evaporation
• Ⅳ semiconductor
• Si nanowires
• Ge nanowires
• SiGe nanowires

系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。

• 单位
  四川大学