基于Zn和N共掺杂的氧化镓薄膜制备方法

作者：苏杰; 常晶晶; 严崇勇; 林珍华; 郝跃

来源：2020-07-06, 中国, CN202010638555.4.

本发明公开了一种基于Zn和N共掺杂的氧化镓薄膜制备方法,本发明主要解决现有p型掺杂氧化镓空穴浓度低、受主能级位置较高的问题。其实现方案是1)选用衬底并对其进行清洗和腐蚀的预处理；2)在预处理后的衬底上采用金属有机物化学气相沉积工艺制备100nm～200nm厚的缓冲层；3)在制备好的缓冲层上分别控制Zn的掺杂浓度a为0.031～0.125和N的掺杂浓度b为0.021～0.083,生长Zn和N共掺杂的Ga1-aZnaO1-bNb薄膜。本发明提高了薄膜费米能级附近态密度的峰值,降低了薄膜的杂质形成能,使其具有更高的化学稳定性,且受主能级离价带顶更近,表现出更好的迁移特性,可用于制作半导体发光器件。

• 单位
  西安电子科技大学