多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

作者：孙建洁; 张可可^*; 许帅; 张明

来源：电子与封装, 2021, 21(04): 54-57.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0407

• 多晶硅发射极晶体管
• 放大系数
• 界面氧化层
• 退火

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6～0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间均匀性从12%改善至9%,显著提升了产品的成品率。

• 单位
  无锡中微晶园电子有限公司