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摘要
针对未来可穿戴电子设备对高性能柔性场效应晶体管的迫切需求，提出一种基于单壁碳纳米管网络的柔性场效应晶体管的制备方法，采用超柔的聚酰亚胺薄膜（PI）作为衬底，以具有高介电常数的氧化铪作为栅介质层，由一维碳纳米管搭建的网路状结构作为晶体管导电沟道。实验结果表明，在超柔PI衬底上，所制备柔性场效应晶体管表现出典型的P型导电特性，开关比达到105以上，具有良好的开关特性。所制备器件在200次弯折之后，仍能表现出104以上的高开关比，证明所制备柔性晶体管器件具有良好的耐弯折特性，具有应用于可穿戴电子器件的巨大潜力。
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