C/C基体上ZrB_2/SiC复合涂层的抗烧蚀性增强方法

作者：高志廷; 马壮; 柳彦博; 刘强; 王一帆; 王冬

来源：北京理工大学学报, 2023, 1-7.

DOI：10.15918/j.tbit1001-0645.2023.055

• 密封层
• 烧蚀
• 等离子喷涂
• C/C复合材料
• 化学气相沉积

研究高压热流场景下，在碳/碳(C/C)基体表面ZrB2/SiC复合涂层的抗烧蚀性增强方法.在等离子体喷涂ZrB2/SiC复合涂层表面，采用CH3SiCl3–H2–Ar系统，化学气相沉积(CVD)–SiC密封层.对ZrB2/SiC涂层与CVD–SiC密封层的结构演化、烧蚀性能与烧蚀机理进行了研究.结果表明：CVD–SiC密封层增强的ZrB2/SiC复合涂层经过两个600 s循环烧蚀后，仍然具备抗烧蚀性能，表面CVD–SiC由β相向α相转化. CVD–SiC密封层填充了等离子喷涂ZrB2/SiC复合涂层的空隙，限制了氧沿着涂层裂纹和孔洞向C/C基体扩散，进而提高了抗烧蚀性.

• 单位
  材料学院; 东北大学; 北京理工大学