NiO含量对ZnO压敏电阻性能的影响

作者：王曼玉; 任鑫^*; 江海波; 李竹韵; 燕颖; 阮雪君; 姚政; 余文琪; 金鹿江; 施利毅

来源：电瓷避雷器, 2021, (05): 164-168.

DOI：10.16188/j.isa.1003-8337.2021.05.026

• ZnO压敏电阻
• NiO
• 电气性能
• 晶粒取向

研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响。结果表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构。CE5样品(NiO摩尔分数为1.55%)具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38。此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后,CE5也仍然显示出最优的电气性能。

• 单位
  上海大学