MgAl2O4绝缘性的第一性原理研究

作者：李俊锋; 罗怡韵; 何海英; 李庆青; 偰正才

来源：光电子技术, 2017, 37(04): 240-284.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2017.04.003

• 第一性原理
• MgAl2O4
• 缺陷形成能
• 电子结构

基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl2O4体系。缺陷形成能的结果表明,Oi4和VO分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl2O4的导电性。电子结构的结果表明,Oi4在价带顶和导带底均引入能级,VO在禁带中引入深能级,分别存在这两种本征缺陷的MgAl2O4依然保持良好的绝缘性。

• 单位
  深圳技术大学; 佛山科学技术学院; 深圳大学