两种40.5kV真空灭弧室电场和电势分布的对比研究

作者:董华军; 康凯; 郭英杰; 段文宇; 郭方准
来源:真空科学与技术学报, 2015, 35(07): 801-806.
DOI:10.13922/j.cnki.cjovst.2015.07.03

摘要

建立了相同型号,不同结构的两种40.5 k V真空灭弧室的轴对称模型。计算并分析了两种真空灭弧室的主屏蔽罩对换前和对换后的电场分布和电势分布,对比了不同主屏蔽罩结构下的触头表面的有效面积,并分析了主屏蔽罩内表面的电场分布曲线。结果表明:型号相同的两个真空灭弧室内部电场分布及电势分布主要受到主屏蔽罩结构的影响,选择合适的主屏蔽罩结构可有效降低最大电场强度并改电场和电势分布。

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