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摘要
本发明公开了一种新型半导体栅极的制作方法,包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第一金属层；对第一金属层、第二光刻胶层和第一光刻胶层进行电子束光刻并显影,形成台阶状第一区域；进行干法刻蚀形成势垒凹槽,在第一光刻胶层上形成Y型斜边；在势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构,所述第一结构包括Y型栅；采用剥离工艺得到凹槽型浮空Y型栅。本发明通过较为简单的工艺方法能够制作出形状规整的凹槽型浮空Y型栅金属,能够更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT,同时减小了势垒层厚度,避免了短沟道效应对器件的影响。
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