摘要

二维过渡金属硫属化合物(TMDC)合金和异质结由于具有独特的光电性能,因而在下一代光电器件中有着广泛的应用前景.然而,如何可控地制备出二维TMDC合金和异质结是一个重大的挑战.以WS2与MoS2的异质结和合金为例,通过在钨粉中引入不同含量的低熔点碲粉,有效降低了WS2的生长温度,继而调节了WS2的成核和生长速率,利用一步化学气相沉积方法,可控地制备出WS2/MoS2垂直异质结和Mo1-xWxS2合金.拉曼光谱、光致发光谱、拉曼成像和光致发光成像技术表明,制备出的WS2/MoS2垂直异质结是由单层的WS2和MoS2上下叠加而成,而在Mo1-xWxS2合金中,W的含量(x)为0.83.此研究为人们提供了一个简单、有效的可控制备二维TMDC异质结和合金的化学气相沉积方法.