硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究

作者：明亮; 黄美玲; 段金刚; 刘文峰; 周浪^*; 黄少文

来源：太阳能学报, 2021, 42(06): 109-114.

DOI：10.19912/j.0254-0096.tynxb.2019-0163

• 晶粒生长
• 位错
• 晶体结构
• 籽晶
• 晶面

在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间接拼处位错产生的概率较不同晶面籽晶接拼处大。在只有单晶块籽晶竞争时,(110)晶面横向生长速度快,能侵占(100)晶面晶粒的生长空间。当单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶相邻接拼时,单晶晶粒的生长空间逐渐被多晶晶粒吞并,其中单晶(110)晶面抗多晶侵占的能力和抗位错能力比(100)晶面强;同时,单晶硅块籽晶尺寸越小,铸锭晶粒相对更均匀,晶体中的位错水平越低。

• 单位
  湖南红太阳光电科技有限公司; 南昌大学