研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器,功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行功率合成,总栅宽为38.4 mm。以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据,采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计。该GaN功率放大器在14.5~15.0 GHz频率范围内的输出功率(Pout)大于200 W,功率增益(Gp)大于7 d B,最高功率附加效率(ηPAE)达到43%。