基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法

作者：马晓华; 周雨威; 宓珉瀚; 祝杰杰; 韩雨彤; 张濛; 王鹏飞; 侯斌; 杨凌

来源：2021-03-01, 中国, ZL202110225408.9.

本发明涉及一种基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法,该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对GaN基异质结的欧姆区域进行刻蚀,形成欧姆再生长区域以进行欧姆再生长；S3：在器件表面外延生长n～+GaN层；S4：采用干法刻蚀工艺对n～+GaN层进行自终止刻蚀,去除欧姆再生长区域之间的n～+GaN层；S5：利用离子注入设备,在器件的两侧形成隔离区；S6：在n～+GaN层上淀积金属,形成源极和漏极；S7：在器件表面形成钝化层；S8：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀,形成栅极凹槽,在栅极凹槽淀积金属形成栅极。本发明的制备方法,简化了欧姆再生长的制备工艺,同时延续了常规欧姆再生长技术的优势。

• 单位
  西安电子科技大学