科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
基于第一性原理,应用Materials Studio软件对2H-MoS2的能带结构、态密度、光学特性等进行了模拟研究。结果表明:MoS2是间接带隙半导体,禁带宽度约为1.1275e V;材料在紫外至可见光波段具有一定吸收,吸收系数随波长增加而减小,拉曼光谱在375和400cm-1分别出现了E2g1和A1g两个振动模式。在39.5°,33.5°等位置处出现了(103),(101)等晶面的衍射峰。采用磁控溅射的方法,在石英衬底上制备了不同厚度的MoS2薄膜,发现该薄膜具有(101)择优取向,在375和407cm-1处也分别出现了E2g1和A1g两个拉曼峰。随着厚度的增加,薄膜在可见光波段透过率下降,光学带隙向长波长移动,模拟结果与实验结果基本吻合。
- 单位
