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摘要
使用磁控溅射设备在室温下以p-Si为衬底的Si O2上沉积氧化锌掺杂镓(GZO)薄膜，并制备成薄膜晶体管器件。研究过程中，分别使用原子力显微镜和扫描电子显微镜观测薄膜的表面形貌，使用半导体参数分析仪测试器件的电学性能。实验表明，相比于纯Zn O薄膜，氧化锌掺杂镓之后的薄膜表面形貌较为平整，粗糙度较低，薄膜表面晶粒致密，结膜质量有所改善。并计算得出GZO薄膜的亚阈值摆幅为3.5V·dec-1，阈值电压为23.5V，开关电流比为4.73×105，迁移率为6.29cm2·V-1s-1，界面态陷阱密度为1.19×1013cm-2eV-1。
- 单位
