科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
利用分子束外延技术在GaAs（100）衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构，研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明，对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度，提升激光器的输出功率，增加激光器的温度稳定性。研制的Be掺杂InAs量子点激光器的阈值电流降低到12mA，相应的阈值电流密度仅为100 A/cm2，激光器的最高输出功率达到183 mW，最高工作温度达到了130℃。这对InAs量子点激光器器件在光通信系统中的应用具有重要意义。
- 单位
