平面型GaN p-n结探测器的制备与性能

作者：包西昌; 张文静; 刘诗嘉; 李超; 李向阳

来源：红外与毫米波学报, 2011, (03): 246-249.

• 平面型探测器
• GaN
• 离子注入
• 电流特性
• 响应率 planar detector
• Ion implantation
• I-V characteristics
• responsivity

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(>1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN p-n结型光电探测器.测试结果表明:室温下的零偏压暗电流密度为4.7 nA/cm2,而-5 V偏压下的暗电流密度则达到了67μA/cm2.室温下的峰值响应率0.065 A/W出现在368 nm处.在低温下器件的峰值响应明显降低,80 K时,360 nm处的峰值响应率仅为0.039...

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室