高亮度硅纳米晶发光峰位的调制

作者：陈家荣; 王东辰; 陆明; 张弛; 张玉琼

来源：半导体技术, 2021, 46(06): 479-484.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.06.011

• Si-nc∶SiO2
• 氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)
• 光致发光
• 蒸镀
• 腐蚀

镶嵌硅纳米晶的SiO2薄膜(Si-nc∶SiO2)是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO2的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO2,通过控制腐蚀时间改变Si-nc的粒径和发光峰位。采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光和拉曼光谱等表征Si-nc∶SiO2的结构和性能。将HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO2样品与蒸镀方法制备的Si-nc∶SiO2进行比较,得出采用HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO2样品的性能远高于采用蒸镀方法制备的样品的性能,最终获得了发光波长为570 nm(黄光)、610 nm(橙光)和730 nm(红光)的Si-nc∶SiO2。

• 单位
  复旦大学; 贵州民族大学